HJT电池技术

HJT电池，即非晶硅薄膜异质结电池，是由两种不同的半导体材料构成异质结。

晶体硅异质结太阳电池（HJT）是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发电等优点，技术具有颠覆性。

以N型单晶硅（C-Si）为衬底光吸收区，经过制绒清洗后，其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜（i-a-Si: H）和掺杂的P型非晶硅(P-a-Si:H)，和硅衬底形成p-n异质结。

硅片的背面又通过沉积厚度为5-10nm的i-a-Si:H和掺杂的N型非晶硅（n-a-Si:H）形成背表面场，双面沉积的透明导电氧化物薄膜(TCO)，最后通过丝网印刷在两侧的顶层形成金属基电极，即为异质结电池的典型结构。

目前量产微晶HJT平均效率24.95%，良率96.4%，相较其他电池有明显提效优势。